半导体与电子原理动画：芯片光刻与刻蚀实验室

2000 转每分钟，20 µm 的液膜第一秒就被甩到 5 µm 左右；之后主要靠溶剂挥发，二十秒左右定型。EUV 用的胶只有 35 nm 厚，DUV 用 90 nm。

周期越小，衍射光越难进镜头，投下来的像就越糊。R = k1·λ/NA：波长从 193 nm 换成 13.5 nm，36 nm 周期从一片模糊变成清楚的明暗条纹。

剂量大，曝光区变宽，胶线变细；剂量小，间隔显不开。线宽落在目标 ±10% 以内的那段剂量，就是这道工序的工艺窗口。电镜图上线边的毛刺，来自光子数的随机起伏。

晶圆下面加了偏压，离子几乎垂直地往下打，所以沟槽侧壁是直的。胶也在被慢慢消耗，选择比 4:1；沟槽越窄刻得越慢，最后几秒过刻就是给窄沟槽补到底的。

线宽缩到二十纳米上下，电子在表面和晶界上来回散射，铜的电阻率翻倍；阻挡层又占掉一圈截面，所以电阻涨得比截面缩得还快。这也是先进工艺开始试用钌、钼等新金属的原因。